SSM6L39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6L39TU,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Especificaciones:	SSM6L39TU,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	413934 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 413934 pcs

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Especificaciones de SSM6L39TU,LF

Número de pieza	SSM6L39TU,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	413934 pcs	Ficha de datos	SSM6L39TU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	UF6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	143 mOhm @ 600MA, 4V
Potencia - Max	500mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Otros nombres	SSM6L39TU,LF(B SSM6L39TU,LF(T SSM6L39TULFTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA 500mW Surface Mount UF6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	800mA

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