| Número de pieza | SSM6L13TU(T5L,F,T) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4144 pcs | Ficha de datos | SSM6L13TU(T5L,F,T).pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Paquete del dispositivo | UF6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V |
| Potencia - Max | 500mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-SMD, Flat Leads | Otros nombres | SSM6L13TU(T5L,F,T)-ND SSM6L13TU(T5LFT) SSM6L13TU(T5LFT)TR SSM6L13TU(T5LFT)TR-ND SSM6L13TUT5LFT |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V, 250pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA (Ta) 500mW Surface Mount UF6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
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|---|---|---|
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