SSM6L35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6L35FE,LM
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Especificaciones:	1.SSM6L35FE,LM.pdf 2.SSM6L35FE,LM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	386051 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 386051 pcs

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Especificaciones de SSM6L35FE,LM

Número de pieza	SSM6L35FE,LM	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	386051 pcs	Ficha de datos	1.SSM6L35FE,LM.pdf 2.SSM6L35FE,LM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	ES6 (1.6x1.6)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Potencia - Max	150mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	SSM6L35FE(TE85LF)TR SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND SSM6L35FE,LM(B SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FELM(TTR SSM6L35FELM(TTR-ND SSM6L35FELMTR SSM6L35FETE85LF
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	180mA, 100mA	Número de pieza base	SSM6L35

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