1SS352,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS352,H3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Especificaciones:	1SS352,H3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1675120 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1675120 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.067

10 pcs: $0.063

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Especificaciones de 1SS352,H3F

Número de pieza	1SS352,H3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1675120 pcs	Ficha de datos	1SS352,H3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	SC-76-2	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	SC-76A
Otros nombres	1SS352(TH3FD)CT 1SS352(TH3FD)CT-ND 1SS352H3FCT	Temperatura de funcionamiento - Junction	125°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-76-2
Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 80V	Corriente - rectificada media (Io)	100mA
Capacitancia Vr, F	3pF @ 0V, 1MHz	Número de pieza base	1SS352

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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