1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS307E,L3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Especificaciones:	1SS307E,L3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3755092 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3755092 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

8000 pcs: $0.011

16000 pcs: $0.01

24000 pcs: $0.009

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Especificaciones de 1SS307E,L3F

Número de pieza	1SS307E,L3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3755092 pcs	Ficha de datos	1SS307E,L3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.3V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	SC-79	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-79, SOD-523	Otros nombres	1SS307E,L3F(B 1SS307E,L3F(T 1SS307EL3FTR
Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79	Corriente - Fuga inversa a Vr	10nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io)	100mA	Capacitancia Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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