1SS355VMTE-17

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS355VMTE-17
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
Especificaciones:	1.1SS355VMTE-17.pdf 2.1SS355VMTE-17.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1678741 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1678741 pcs

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Especificaciones de 1SS355VMTE-17

Número de pieza	1SS355VMTE-17	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1678741 pcs	Ficha de datos	1.1SS355VMTE-17.pdf 2.1SS355VMTE-17.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	UMD2	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SC-90, SOD-323F
Otros nombres	1SS355VMTE-17-ND 1SS355VMTE-17TR 1SS355VMTE17	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount UMD2	Corriente - Fuga inversa a Vr	100nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io)	100mA	Capacitancia Vr, F	3pF @ 0.5V, 1MHz
Número de pieza base	1SS355

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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