SCT2750NYTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SCT2750NYTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	1700V .75 OHM 6A SIC FET
Especificaciones:	1.SCT2750NYTB.pdf 2.SCT2750NYTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	17804 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17804 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.719

10 pcs: $2.427

25 pcs: $2.184

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Especificaciones de SCT2750NYTB

Número de pieza	SCT2750NYTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	1700V .75 OHM 6A SIC FET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	17804 pcs	Ficha de datos	1.SCT2750NYTB.pdf 2.SCT2750NYTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 630µA	Vgs (Max)	+22V, -6V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	975 mOhm @ 1.7A, 18V
La disipación de energía (máximo)	57W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Otros nombres	SCT2750NYTBCT
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 800V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 18V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	18V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1700V
Descripción detallada	N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.9A (Tc)

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