SCT3030KLGC11

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SCT3030KLGC11
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Especificaciones:	1.SCT3030KLGC11.pdf 2.SCT3030KLGC11.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1402 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1402 pcs

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Especificaciones de SCT3030KLGC11

Número de pieza	SCT3030KLGC11	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1402 pcs	Ficha de datos	1.SCT3030KLGC11.pdf 2.SCT3030KLGC11.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.6V @ 13.3mA	Vgs (Max)	+22V, -4V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	TO-247N
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	39 mOhm @ 27A, 18V
La disipación de energía (máximo)	339W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2222pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	131nC @ 18V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	72A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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