SCT2280KEC

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SCT2280KEC
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Especificaciones:	1.SCT2280KEC.pdf 2.SCT2280KEC.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	12035 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12035 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $4.308

10 pcs: $3.879

25 pcs: $3.534

100 pcs: $3.189

250 pcs: $2.931

500 pcs: $2.672

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Especificaciones de SCT2280KEC

Número de pieza	SCT2280KEC	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	12035 pcs	Ficha de datos	1.SCT2280KEC.pdf 2.SCT2280KEC.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1.4mA	Vgs (Max)	+22V, -6V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	364 mOhm @ 4A, 18V
La disipación de energía (máximo)	108W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	SCT2280KECU
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	667pF @ 800V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	36nC @ 18V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	18V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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