SIZ914DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIZ914DT-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Especificaciones:	1.SIZ914DT-T1-GE3.pdf 2.SIZ914DT-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	58702 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58702 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.727

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Especificaciones de SIZ914DT-T1-GE3

Número de pieza	SIZ914DT-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	58702 pcs	Ficha de datos	1.SIZ914DT-T1-GE3.pdf 2.SIZ914DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-PowerPair®
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	6.4 mOhm @ 19A, 10V
Potencia - Max	22.7W, 100W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	SIZ914DT-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1208pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A, 40A	Número de pieza base	SIZ914

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Después de las ventas
Especificaciones

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