SIZ900DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Especificaciones:	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	60733 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 60733 pcs

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Especificaciones de SIZ900DT-T1-GE3

Número de pieza	SIZ900DT-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	60733 pcs	Ficha de datos	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	6-PowerPair™
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Potencia - Max	48W, 100W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-PowerPair™	Otros nombres	SIZ900DT-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24A, 28A	Número de pieza base	SIZ900

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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