SIZ926DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIZ926DT-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Especificaciones:	SIZ926DT-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	80816 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80816 pcs

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Especificaciones de SIZ926DT-T1-GE3

Número de pieza	SIZ926DT-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	80816 pcs	Ficha de datos	SIZ926DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-PowerPair® (6x5)
Serie	TrenchFET® Gen IV	RDS (Max) @Id, Vgs	4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Potencia - Max	20.2W, 40W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	SIZ926DT-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc), 60A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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