FDPC8016S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDPC8016S
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
Especificaciones:	FDPC8016S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	65789 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65789 pcs

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Especificaciones de FDPC8016S

Número de pieza	FDPC8016S	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	65789 pcs	Ficha de datos	FDPC8016S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Power Clip 56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max	2.1W, 2.3W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDPC8016SCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2375pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A, 35A

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