FDPC8012S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDPC8012S
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
Especificaciones:	FDPC8012S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59289 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59289 pcs

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Especificaciones de FDPC8012S

Número de pieza	FDPC8012S	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59289 pcs	Ficha de datos	FDPC8012S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Powerclip-33
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	7 mOhm @ 12A, 4.5V
Potencia - Max	800mW, 900mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDPC8012S-ND FDPC8012STR Q7602092
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A, 26A

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