FDPF10N60NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDPF10N60NZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
Especificaciones:	FDPF10N60NZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	76348 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76348 pcs

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1 pcs: $1.027

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Especificaciones de FDPF10N60NZ

Número de pieza	FDPF10N60NZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	76348 pcs	Ficha de datos	FDPF10N60NZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	UniFET-II™	RDS (Max) @Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	38W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1475pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 10A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

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