ULN2803APG,CN

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	ULN2803APG,CN
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Especificaciones:	ULN2803APG,CN.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5921 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5921 pcs

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Especificaciones de ULN2803APG,CN

Número de pieza	ULN2803APG,CN	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5921 pcs	Ficha de datos	ULN2803APG,CN.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor	8 NPN Darlington	Paquete del dispositivo	18-DIP
Serie	-	Potencia - Max	1.47W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres	ULN2803APG ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN)-ND ULN2803APG(O,M) ULN2803APG(O,N,HZA ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(OM) ULN2803APG(OM)-ND ULN2803APG(ONHZA ULN2803APG(ONHZA-ND ULN2803APG(ONHZN ULN2803APG(ONHZN-ND ULN2803APG-ND ULN2803APGCN ULN2803APGONHZN	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	-
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)	-	Corriente - colector (Ic) (Max)	500mA
Número de pieza base	ULN280*A

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