ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	ULN2803AFWG,C,EL
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Especificaciones:	ULN2803AFWG,C,EL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5952 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5952 pcs

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Especificaciones de ULN2803AFWG,C,EL

Número de pieza	ULN2803AFWG,C,EL	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5952 pcs	Ficha de datos	ULN2803AFWG,C,EL.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor	8 NPN Darlington	Paquete del dispositivo	18-SOL
Serie	-	Potencia - Max	1.31W
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Otros nombres	ULN2803AFWG(5ELMCT ULN2803AFWG(5ELMCT-ND ULN2803AFWG(CELHACT ULN2803AFWG(CELHACT-ND ULN2803AFWG(OELMCT ULN2803AFWG(OELMCT-ND ULN2803AFWG5ELMCT ULN2803AFWG5ELMCT-ND ULN2803AFWGCELCT	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	-
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)	-	Corriente - colector (Ic) (Max)	500mA
Número de pieza base	ULN280*A

Modo de transporte
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