TK4P50D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK4P50D(T6RSS-Q)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
Especificaciones:	TK4P50D(T6RSS-Q).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4222 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4222 pcs

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Especificaciones de TK4P50D(T6RSS-Q)

Número de pieza	TK4P50D(T6RSS-Q)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4222 pcs	Ficha de datos	TK4P50D(T6RSS-Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	π-MOSVII	RDS (Max) @Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	80W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TK4P50DT6RSSQ
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 4A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

Modo de transporte
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