TK4A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK4A60DA(STA4,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Especificaciones:	TK4A60DA(STA4,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6005 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6005 pcs

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Especificaciones de TK4A60DA(STA4,Q,M)

Número de pieza	TK4A60DA(STA4,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6005 pcs	Ficha de datos	TK4A60DA(STA4,Q,M).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	π-MOSVII	RDS (Max) @Id, Vgs	2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	-	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK4A60DA(STA4QM) TK4A60DASTA4QM
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 3.5A (Ta) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)

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