TK11A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK11A45D(STA4,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
Especificaciones:	1.TK11A45D(STA4,Q,M).pdf 2.TK11A45D(STA4,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	52467 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52467 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TK11A45D(STA4,Q,M)

Número de pieza	TK11A45D(STA4,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	52467 pcs	Ficha de datos	1.TK11A45D(STA4,Q,M).pdf 2.TK11A45D(STA4,Q,M).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	π-MOSVII	RDS (Max) @Id, Vgs	620 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK11A45D(STA4QM) TK11A45DSTA4QM
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	450V
Descripción detallada	N-Channel 450V 11A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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