TK10S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK10S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
Especificaciones:	1.TK10S04K3L(T6L1,NQ.pdf 2.TK10S04K3L(T6L1,NQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	110937 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 110937 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2000 pcs: $0.194

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Especificaciones de TK10S04K3L(T6L1,NQ

Número de pieza	TK10S04K3L(T6L1,NQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	110937 pcs	Ficha de datos	1.TK10S04K3L(T6L1,NQ.pdf 2.TK10S04K3L(T6L1,NQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK+
Serie	U-MOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TK10S04K3L(T6L1NQ TK10S04K3LT6L1NQ
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 10A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

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Especificaciones

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