SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6P35FE,LM
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
Especificaciones:	SSM6P35FE,LM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5343 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5343 pcs

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Especificaciones de SSM6P35FE,LM

Número de pieza	SSM6P35FE,LM	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5343 pcs	Ficha de datos	SSM6P35FE,LM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	ES6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Potencia - Max	150mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	SSM6P35FE,LM(B SSM6P35FE,LM(T SSM6P35FELM
Temperatura de funcionamiento	150°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA

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