| Número de pieza | SSM6N7002CFU,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1311431 pcs | Ficha de datos | SSM6N7002CFU,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.1V @ 250µA | Paquete del dispositivo | US6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.9 Ohm @ 100mA, 10V |
| Potencia - Max | 285mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | SSM6N7002CFU,LF(B SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFULF SSM6N7002CFULFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 170mA 285mW Surface Mount US6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA |
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|---|---|---|
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