SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6N37CTD(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
Especificaciones:	1.SSM6N37CTD(TPL3).pdf 2.SSM6N37CTD(TPL3).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4004 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4004 pcs

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Especificaciones de SSM6N37CTD(TPL3)

Número de pieza	SSM6N37CTD(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4004 pcs	Ficha de datos	1.SSM6N37CTD(TPL3).pdf 2.SSM6N37CTD(TPL3).pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Paquete del dispositivo	CST6D
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Potencia - Max	140mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Otros nombres	SSM6N37CTD (TPL3) SSM6N37CTD(TPL3)TR SSM6N37CTDTPL3
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA 140mW Surface Mount CST6D
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	250mA	Número de pieza base	SSM6N37

Modo de transporte
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Especificaciones

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