SSM6N35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6N35AFU,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Especificaciones:	SSM6N35AFU,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	536188 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 536188 pcs

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Especificaciones de SSM6N35AFU,LF

Número de pieza	SSM6N35AFU,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	536188 pcs	Ficha de datos	SSM6N35AFU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 100µA	Paquete del dispositivo	US6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Potencia - Max	285mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	SSM6N35AFU,LF(B SSM6N35AFULF SSM6N35AFULF(B SSM6N35AFULF-ND SSM6N35AFULFTR
Temperatura de funcionamiento	150°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

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