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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6J51TUTE85LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 4A UF6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5411 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6J51TUTE85LF.pdf2.SSM6J51TUTE85LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | UF6 |
| Serie | U-MOSIV | RDS (Max) @Id, Vgs | 54 mOhm @ 2A, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | 6-SMD, Flat Leads | Otros nombres | SSM6J51TU(TE85LF)DKR SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND SSM6J51TUTE85LFDKR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 2.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V | Descripción detallada | P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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