SSM6J511NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6J511NU,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Especificaciones:	SSM6J511NU,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	417838 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 417838 pcs

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Especificaciones de SSM6J511NU,LF

Número de pieza	SSM6J511NU,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	417838 pcs	Ficha de datos	SSM6J511NU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	6-UDFNB (2x2)	Serie	U-MOSVII
RDS (Max) @Id, Vgs	9.1 mOhm @ 4A, 8V	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3350pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V	Descripción detallada	P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta)

Modo de transporte
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