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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6J212FE,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 364223 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6J212FE,LF.pdf2.SSM6J212FE,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | U-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | SSM6J212FE(TE85L,F SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FE(TE85LFTR-ND SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FELF SSM6J212FELFTR SSM6J212FETE85LF |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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