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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6J207FE,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 460263 pcs | Ficha de datos | 1.SSM6J207FE,LF.pdf2.SSM6J207FE,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.6V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie | U-MOSII | RDS (Max) @Id, Vgs | 251 mOhm @ 650mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | SSM6J207FE(TE85L,F SSM6J207FE(TE85LFTR SSM6J207FE(TE85LFTR-ND SSM6J207FE,LF(CA SSM6J207FELFTR SSM6J207FETE85LF |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 137pF @ 15V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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