SSM3K15AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3K15AMFV,L3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Especificaciones:	SSM3K15AMFV,L3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1395066 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1395066 pcs

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Especificaciones de SSM3K15AMFV,L3F

Número de pieza	SSM3K15AMFV,L3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1395066 pcs	Ficha de datos	SSM3K15AMFV,L3F.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	VESM
Serie	U-MOSIII	RDS (Max) @Id, Vgs	3.6 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	150mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-723	Otros nombres	SSM3K15AMFV,L3F(A SSM3K15AMFV,L3F(B SSM3K15AMFV,L3F(D SSM3K15AMFV,L3F(T SSM3K15AMFVL3F SSM3K15AMFVL3FTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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