SSM3K15ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3K15ACT(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Especificaciones:	SSM3K15ACT(TPL3).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	919322 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 919322 pcs

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Especificaciones de SSM3K15ACT(TPL3)

Número de pieza	SSM3K15ACT(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	919322 pcs	Ficha de datos	SSM3K15ACT(TPL3).pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CST3
Serie	U-MOSIII	RDS (Max) @Id, Vgs	3.6 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	100mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-101, SOT-883	Otros nombres	SSM3K15ACT(TPL3)TR SSM3K15ACTTPL3
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

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