JDP4P02AT(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	JDP4P02AT(TE85L)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
Especificaciones:	JDP4P02AT(TE85L).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4408 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4408 pcs

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Especificaciones de JDP4P02AT(TE85L)

Número de pieza	JDP4P02AT(TE85L)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4408 pcs	Ficha de datos	JDP4P02AT(TE85L).pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	30V	Paquete del dispositivo	CST4 (1.2x0.8)
Serie	-	Resistencia @ Si, F	1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	4-SMD, Flat Leads
Otros nombres	JDP4P02AT(TE85L)TR	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	PIN - 2 Independent	Descripción detallada	RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA CST4 (1.2x0.8)
Corriente - Max	50mA	Capacitancia Vr, F	0.4pF @ 1V, 1MHz

Modo de transporte
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Especificaciones

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