JDP2S12CR(TE85L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	JDP2S12CR(TE85L,Q
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
Especificaciones:	JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5320 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5320 pcs

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Especificaciones de JDP2S12CR(TE85L,Q

Número de pieza	JDP2S12CR(TE85L,Q	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE PIN 180V 1A S-FLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5320 pcs	Ficha de datos	JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	180V	Paquete del dispositivo	S-FLAT (1.6x3.5)
Serie	-	Resistencia @ Si, F	700 mOhm @ 10mA, 100MHz
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	SOD-123F
Otros nombres	JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND	Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	PIN - Single	Descripción detallada	RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
Corriente - Max	1A	Capacitancia Vr, F	1.3pF @ 40V, 1MHz

Modo de transporte
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