1SS367,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS367,H3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Especificaciones:	1SS367,H3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1586624 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1586624 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.08

10 pcs: $0.073

100 pcs: $0.041

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Especificaciones de 1SS367,H3F

Número de pieza	1SS367,H3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1586624 pcs	Ficha de datos	1SS367,H3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	500mV @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	10V
Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Serie	-
embalaje	Original-Reel®	Paquete / Cubierta	SC-76, SOD-323
Otros nombres	1SS367H3FDKR 1SS367TPH3FDKR 1SS367TPH3FDKR-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	125°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Schottky	Descripción detallada	Diode Schottky 10V 100mA Surface Mount
Corriente - Fuga inversa a Vr	20µA @ 10V	Corriente - rectificada media (Io)	100mA
Capacitancia Vr, F	40pF @ 0V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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