1SS362FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS362FV,L3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Especificaciones:	1SS362FV,L3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3021342 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3021342 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

8000 pcs: $0.011

16000 pcs: $0.01

24000 pcs: $0.009

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Especificaciones de 1SS362FV,L3F

Número de pieza	1SS362FV,L3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3021342 pcs	Ficha de datos	1SS362FV,L3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	VESM	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SOT-723
Otros nombres	1SS362FV,L3F(B 1SS362FV,L3F(T 1SS362FVL3FTR	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	configuración de diodo	1 Pair Series Connection
Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-723	Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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