TC58CYG0S3HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	TC58CYG0S3HQAIE
Fabricante / Marca:	Toshiba Memory America, Inc.
Descripción del producto	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Especificaciones:	TC58CYG0S3HQAIE.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4413 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de TC58CYG0S3HQAIE

Número de pieza	TC58CYG0S3HQAIE	Fabricante	Toshiba Memory America, Inc.
Descripción	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4413 pcs	Ficha de datos	TC58CYG0S3HQAIE.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-	Suministro de voltaje	1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología	FLASH - NAND (SLC)	Paquete del dispositivo	16-SOP
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Otros nombres	TC58CYG0S3HQAIEY0J TC58CYG0S3HQAIEYCJ
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Non-Volatile
Tamaño de la memoria	1Gb (128M x 8)	Interfaz de memoria	SPI
Formato de memoria	FLASH	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP	Frecuencia de reloj	104MHz
Tiempo de acceso	155µs

Modo de transporte
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Especificaciones

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