Toshiba Memory America, Inc.| Número de pieza | TC58CVG2S0HRAIG | Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 20618 pcs | Ficha de datos | TC58CVG2S0HRAIG.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | Paquete del dispositivo | 8-WSON (6x8) |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 8-WDFN Exposed Pad | Otros nombres | TC58CVG2S0HRAIGBAH TC58CVG2S0HRAIGY0J TC58CVG2S0HRAIGYCJ |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) | Interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Formato de memoria | FLASH | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 8-WSON (6x8) | Frecuencia de reloj | 104MHz |
| Tiempo de acceso | 280µs |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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