TSM680P06DPQ56 RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM680P06DPQ56 RLG
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Especificaciones:	TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	148037 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 148037 pcs

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Especificaciones de TSM680P06DPQ56 RLG

Número de pieza	TSM680P06DPQ56 RLG	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	148037 pcs	Ficha de datos	TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-PDFN (5x6)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	68 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max	3.5W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	TSM680P06DPQ56 RLGDKR TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND TSM680P06DPQ56RLGDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16.4nC @ 10V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

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