| Número de pieza | TSM650P03CX RFG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 537893 pcs | Ficha de datos | TSM650P03CX RFG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 900mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-23 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.56W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | TSM650P03CX RFGTR TSM650P03CX RFGTR-ND TSM650P03CXRFGTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 40 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | P-Channel 30V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
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|---|---|---|
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