STS4DNFS30L

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STS4DNFS30L
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Especificaciones:	STS4DNFS30L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4475 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4475 pcs

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Especificaciones de STS4DNFS30L

Número de pieza	STS4DNFS30L	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4475 pcs	Ficha de datos	STS4DNFS30L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	STripFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	55 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	497-3227-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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