STS3P6F6

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STS3P6F6
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Especificaciones:	STS3P6F6.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	134144 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 134144 pcs

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Especificaciones de STS3P6F6

Número de pieza	STS3P6F6	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	134144 pcs	Ficha de datos	STS3P6F6.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.7W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	497-13785-6
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 48V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.4nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

Modo de transporte
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