STMicroelectronics| Número de pieza | STD4NK80Z-1 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 61299 pcs | Ficha de datos | STD4NK80Z-1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | I-PAK |
| Serie | SuperMESH™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 80W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Otros nombres | 497-12560-5 STD4NK80Z-1-ND STD4NK80Z1 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I-PAK | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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