STD4NK50Z-1

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD4NK50Z-1
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Especificaciones:	STD4NK50Z-1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5908 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5908 pcs

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Especificaciones de STD4NK50Z-1

Número de pieza	STD4NK50Z-1	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 500V 3A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5908 pcs	Ficha de datos	STD4NK50Z-1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	SuperMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	45W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	497-12559-5 STD4NK50Z-1-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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