RYE002N05TCL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RYE002N05TCL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Especificaciones:	RYE002N05TCL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1748989 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1748989 pcs

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Especificaciones de RYE002N05TCL

Número de pieza	RYE002N05TCL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1748989 pcs	Ficha de datos	RYE002N05TCL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	800mV @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	EMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	150mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-75, SOT-416	Otros nombres	RYE002N05TCLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	0.9V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V	Descripción detallada	N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

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