STP11NM60FD

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP11NM60FD
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Especificaciones:	STP11NM60FD.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	34255 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34255 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STP11NM60FD

Número de pieza	STP11NM60FD	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	34255 pcs	Ficha de datos	STP11NM60FD.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	FDmesh™	RDS (Max) @Id, Vgs	450 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	160W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-3180-5
Temperatura de funcionamiento	-	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
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