RQ5E030AJTCL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RQ5E030AJTCL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Especificaciones:	1.RQ5E030AJTCL.pdf 2.RQ5E030AJTCL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	310914 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 310914 pcs

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Especificaciones de RQ5E030AJTCL

Número de pieza	RQ5E030AJTCL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	310914 pcs	Ficha de datos	1.RQ5E030AJTCL.pdf 2.RQ5E030AJTCL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SC-96	Otros nombres	RQ5E030AJTCLDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 3A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

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Especificaciones

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