RQ5A030APTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RQ5A030APTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Especificaciones:	1.RQ5A030APTL.pdf 2.RQ5A030APTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	595647 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 595647 pcs

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Especificaciones de RQ5A030APTL

Número de pieza	RQ5A030APTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	595647 pcs	Ficha de datos	1.RQ5A030APTL.pdf 2.RQ5A030APTL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	62 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-96	Otros nombres	RQ5A030APTLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

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Especificaciones

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