RQ1E070RPTR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RQ1E070RPTR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Especificaciones:	1.RQ1E070RPTR.pdf 2.RQ1E070RPTR.pdf 3.RQ1E070RPTR.pdf 4.RQ1E070RPTR.pdf 5.RQ1E070RPTR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	96480 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96480 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.414

100 pcs: $0.328

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Especificaciones de RQ1E070RPTR

Número de pieza	RQ1E070RPTR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	96480 pcs	Ficha de datos	1.RQ1E070RPTR.pdf 2.RQ1E070RPTR.pdf 3.RQ1E070RPTR.pdf 4.RQ1E070RPTR.pdf 5.RQ1E070RPTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	17 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	550mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	RQ1E070RPCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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