RQ1C065UNTR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RQ1C065UNTR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Especificaciones:	1.RQ1C065UNTR.pdf 2.RQ1C065UNTR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	269256 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 269256 pcs

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Especificaciones de RQ1C065UNTR

Número de pieza	RQ1C065UNTR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	269256 pcs	Ficha de datos	1.RQ1C065UNTR.pdf 2.RQ1C065UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	RQ1C065UNTRTR RQ1C065UNTRTR-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)

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