RHU003N03T106

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RHU003N03T106
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
Especificaciones:	RHU003N03T106.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	505799 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 505799 pcs

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Especificaciones de RHU003N03T106

Número de pieza	RHU003N03T106	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	505799 pcs	Ficha de datos	RHU003N03T106.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	UMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.2 Ohm @ 300mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	200mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323	Otros nombres	RHU003N03T106CT
Temperatura de funcionamiento	-	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)

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